Experimento:
Transistor de efecto de campo
(115 V, 50/60 Hz)
![Experimento:
Transistor de efecto de campo
(115 V, 50/60 Hz), 8000675 [UE3080300-115], Electrónica](/imagelibrary/UE3080300-115/UE3080300-115_01_Experimento-Transistor-de-efecto-de-campo-115-V-5060-Hz.jpg)
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Transistor de efecto de campo
(115 V, 50/60 Hz), 8000675 [UE3080300-115], Electrónica](/thumblibrary/UE3080300-115/UE3080300-115_01_1200_1200_Experimento-Transistor-de-efecto-de-campo-115-V-5060-Hz.jpg)
Experimento:
Transistor de efecto de campo
(115 V, 50/60 Hz)
Objetivo: Medición de las líneas características de un transistor de efecto de campo
Un transistor de efecto de campo (FET) es un componente semiconductor en el cual la corriente eléctrica que fluye por un canal puede ser controlada por un campo eléctrico perpendicular a la dirección del flujo de la corriente. El FET tiene tres puntos de contacto llamados Source, Drain y Gate que actúan como, la fuente, el drenage y la puerta. Si se conecta una tensión eléctrica entre Source y Drain fluye en el canal entre ellos la corriente de Drain. Para tensiones pequeñas Drain-Source el FET se comporta como una resistencia óhmica, la línea característica es correspondientemente recta. Aumentando la tensión Drain-Source tiene lugar una contracción del canal y al final una estrangulación del canal y la línea característica pasa a una región de saturación. Para tensiones de Gate diferentes de cero el valor de saturación de la corriente de Drain disminuye.
