Diodo Si, 1N 4007
![Diodo Si, 1N 4007, 1012964 [U333072], Diodos](/imagelibrary/U333072/U333072_01_Diodo-Si-1N-4007.jpg)
Diodo Si, 1N 4007
| Información del producto: .. |
| Datos técnicos: .. |
| Tipo: | 1N 4007 |
| Material: | Si |
| Tensión de bloqueo: | 1000 V |
| Corriente continua máx. admisible: | 1 A |
Artículo No.: 1012964 [U333072]
| Weight | 0.012 kg |
| Brand | 3B Scientific |
Documentación
Resumen de todos los experimentos en los que se utiliza el producto
![Experimento:
Transistor de efecto de campo
(115 V, 50/60 Hz), 8000675 [UE3080300-115], Electrónica](/thumblibrary/UE3080300-115/UE3080300-115_01_140_140_Experimento-Transistor-de-efecto-de-campo-115-V-5060-Hz.jpg)
1.203,35 €
Envío doméstico gratuito
![Experimento:
Transistor de efecto de campo, 8000676 [UE3080300-230], Electrónica](/thumblibrary/UE3080300-230/UE3080300-230_01_140_140_Experimento-Transistor-de-efecto-de-campo.jpg)