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Experiment: Hall-Effekt in Halbleitern (230 V, 50/60 Hz), Basisausstattung

Experiment: Hall-Effekt in Halbleitern (230 V, 50/60 Hz), Basisausstattung, 8000728 [UE6020200-230], Leitungsphänomene
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Ziel: Untersuchung der Mechanismen der elektrischen Leitung in dotiertem Germanium mit dem Hall-Effekt

Der Hall-Effekt tritt in stromleitenden Materialien auf, die sich in einem Magnetfeld B befinden. Das Vorzeichen der Hall-Spannung wechselt, je nachdem ob der gleiche Strom I durch positive oder negative Ladungsträger getragen wird. Ihr Betrag hängt von der Ladungsträgerdichte ab. Daher bietet der Hall-Effekt ein wichtiges Instrument zur Bestimmung der Mechanismen des Ladungstransportes in dotierten Halbleitern. Im Experiment werden dotierte Germaniumkristalle bei Temperaturen zwischen 300 K und 450 K untersucht, um die durch Dotierung ermöglichte elektrische Leitung und die durch thermische Aktivierung von Elektronen aus dem Valenzband ins Leitungsband ermöglichte Eigenleitung zu unterscheiden.

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