Experiment:
Hall-Effekt in Halbleitern
(115 V, 50/60 Hz)

Experiment: Hall-Effekt in Halbleitern (115 V, 50/60 Hz), 8000727 [UE6020200-115], Leitungsphänomene
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115V, 50/60 Hz
230V, 50/60 Hz
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Ziel: Untersuchung der Mechanismen der elektrischen Leitung in dotiertem Germanium mit dem Hall-Effekt

Der Hall-Effekt tritt in stromleitenden Materialien auf, die sich in einem Magnetfeld B befinden. Das Vorzeichen der Hall-Spannung wechselt, je nachdem ob der gleiche Strom I durch positive oder negative Ladungsträger getragen wird. Ihr Betrag hängt von der Ladungsträgerdichte ab. Daher bietet der Hall-Effekt ein wichtiges Instrument zur Bestimmung der Mechanismen des Ladungstransportes in dotierten Halbleitern. Im Experiment werden dotierte Germaniumkristalle bei Temperaturen zwischen 300 K und 450 K untersucht, um die durch Dotierung ermöglichte elektrische Leitung und die durch thermische Aktivierung von Elektronen aus dem Valenzband ins Leitungsband ermöglichte Eigenleitung zu unterscheiden.

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Artikel-Nr.: 8000727 [UE6020200-115]
Brand 3B Scientific

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