Experiment:
Feldeffekttransistor
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Feldeffekttransistor, 8000676 [UE3080300-230], Elektronik](/imagelibrary/UE3080300-230/UE3080300-230_01_Experiment-Feldeffekttransistor.jpg)
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Feldeffekttransistor, 8000676 [UE3080300-230], Elektronik](/thumblibrary/UE3080300-230/UE3080300-230_01_1200_1200_Experiment-Feldeffekttransistor.jpg)
Experiment:
Feldeffekttransistor
Ziel: Messung der Kennlinien eines Feldeffekttransistors
Ein Feldeffekttransistor (FET) ist ein Halbleiterbauelement, bei dem der durch einen Kanal fließende elektrische Strom durch ein elektrisches Feld senkrecht zum Stromfluss gesteuert wird. Der FET hat drei Anschlüsse, die Source, Drain und Gate genannt werden, und die als Quelle, Senke und Tor fungieren. Wird eine elektrische Spannung zwischen Source und Drain angelegt, dann fließt im Kanal dazwischen der Drain-Strom. Für kleine Drain-Source-Spannungen verhält sich der FET wie ein Ohm’scher Widerstand, die Kennlinie verläuft entsprechend linear. Mit zunehmender Drain-Source-Spannung kommt es zunächst zur Einschnürung und schließlich zur Abschnürung des Kanals und die Kennlinie geht in einen Sättigungsbereich über. Für von Null verschiedene Gate-Spannungen nimmt der Sättigungswert des Drain-Stroms ab.
Artikel-Nr.: 8000676 [UE3080300-230]
| Brand | 3B Scientific |
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