Experiment:
Bipolartransistor
(115 V, 50/60 Hz)
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Bipolartransistor
(115 V, 50/60 Hz), 8000673 [UE3080200-115], Elektronik](/imagelibrary/UE3080200-115/UE3080200-115_01_Experiment-Bipolartransistor-115-V-5060-Hz.jpg)
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Bipolartransistor
(115 V, 50/60 Hz), 8000673 [UE3080200-115], Elektronik](/thumblibrary/UE3080200-115/UE3080200-115_01_1200_1200_Experiment-Bipolartransistor-115-V-5060-Hz.jpg)
Experiment:
Bipolartransistor
(115 V, 50/60 Hz)
Ziel: Messung der relevanten Kennlinien eines npn-Transistors
Ein Bipolartransistor ist ein elektronisches Bauelement aus drei abwechselnd p- und n-dotierten Halbleiterschichten, der Basis, dem Kollektor und dem Emitter. Je nach Anordnung der Schichten spricht man von einem npn- oder einem pnp-Transistor. Das Verhalten eines Bipolartransistors wird u. a. durch die Eingangs-, Steuer- und Ausgangskennlinie charakterisiert, die im Experiment beispielhaft für den npn- Transistor gemessen, graphisch dargestellt und ausgewertet werden.
Artikel-Nr.: 8000673 [UE3080200-115]
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