Лабораторная установка "Фотопроводимость"
(115 В, 50/60 Гц)

Задать вопрос

Описание
Компоненты

ЦЕЛЬ ОПЫТА
Построение характеристической кривой фоторезистора

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ
В основе фотопроводимости лежит поглощение света за счет фотоэлектрического действия в полупроводнике, вследствие чего создаются электронно-дырочные пары. Одной из специфических полупроводниковых смесей, проявляющих особенно сильный фотоэлектрический эффект, является сульфид кадмия. Этот материал используется для изготовления фоторезисторов. В этом опыте фоторезистор из сульфида кадмия освещается белым светом, создаваемым лампой накаливания. Затем интенсивность освещения фоторезистора изменяется при пересечении двух поляризационных фильтров, размещенных друг за другом в пучке света.

Артикул: 8000775 [UE6020400-115]