Esperimento:
Transistor ad effetto di campo
(115 V, 50/60 Hz)
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Transistor ad effetto di campo
(115 V, 50/60 Hz), 8000675 [UE3080300-115], Elettronica](/imagelibrary/UE3080300-115/UE3080300-115_01_Esperimento-Transistor-ad-effetto-di-campo-115-V-5060-Hz.jpg)
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Transistor ad effetto di campo
(115 V, 50/60 Hz), 8000675 [UE3080300-115], Elettronica](/thumblibrary/UE3080300-115/UE3080300-115_01_1200_1200_Esperimento-Transistor-ad-effetto-di-campo-115-V-5060-Hz.jpg)
Esperimento:
Transistor ad effetto di campo
(115 V, 50/60 Hz)
Scopo: Misurazione delle caratteristiche rilevanti di un transistor ad effetto di campo
Un transistor ad effetto di campo (FET) è un elemento semiconduttore con il quale la corrente elettrica che passa attraverso un canale può essere controllata da un campo elettrico perpendicolare rispetto al flusso di corrente. Il FET ha tre collegamenti chiamati Source, Drain e Gate o, rispettivamente, sorgente, pozzo e porta. Se viene applicata una tensione elettrica tra Source e Drain, questa genera nel canale la corrente di Drain. Per piccole tensioni Drain-Source il FET si comporta come una resistenza ohmica e la curva si estende in modo lineare. Con la tensione Drain-Source in aumento si arriva prima ad uno strozzamento e poi ad una interruzione del canale e la curva passa in un’area di saturazione. Per le tensioni di Gate diverse da zero, il valore di saturazione della corrente di Drain si abbassa.
Art. No.: 8000675 [UE3080300-115]
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