Esperimento:
Effetto Hall nei Semiconduttori
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Effetto Hall nei Semiconduttori, 8000728 [UE6020200-230], Esperimenti Fisica dello Stato Solido](/imagelibrary/UE6020200-230/UE6020200-230_01_Esperimento-Effetto-Hall-nei-Semiconduttori.jpg)
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Effetto Hall nei Semiconduttori, 8000728 [UE6020200-230], Esperimenti Fisica dello Stato Solido](/thumblibrary/UE6020200-230/UE6020200-230_01_1200_1200_Esperimento-Effetto-Hall-nei-Semiconduttori.jpg)
Esperimento:
Effetto Hall nei Semiconduttori
Scopo: Analisi dei meccanismi della conduzione elettrica in germanio drogato mediante studio dell’effetto Hall
L’effetto Hall si verifica in nei materiali conduttori in un campo magnetico B. Il segno della tensione di Hall cambia a seconda che la stessa corrente I venga trasmessa da portatori di carica positivi o negativi. Il suo valore dipende dalla densità dei portatori di carica. Pertanto, l’effetto Hall rappresenta uno strumento importante per la determinazione dei meccanismi del trasporto della carica in semiconduttori drogati. Nell’esperimento vengono analizzati cristalli di germanio drogati a temperature comprese tra 300 K e 450 K, per distinguere la conduzione elettrica causata dal drogaggio e la conduzione intrinseca consentita dall’attivazione termica degli elettroni della banda di valenza che raggiungono la banda di conduzione.
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Art. No.: 8000728 [UE6020200-230]
| Marca | 3B Scientific |
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