Diode Si, 1N 4007
![Diode Si, 1N 4007, 1012964 [U333072], Diodes](/imagelibrary/U333072/U333072_01_Diode-Si-1N-4007.jpg)
Diode Si, 1N 4007
| Information sur le produit : .. |
| Spécifications techniques : .. |
| Type : | 1N 4007 |
| Matériau : | Si |
| Tension de blocage : | 1000 V |
| Courant continu max. admiss.: | 1 A |
Réf. Article: 1012964 [U333072]
| Masse | 0.012 kg |
| Brand | 3B Scientific |
Documentation
- Paiment sécurisé
- Conseil personnalisé
Vue d'ensemble de toutes les expériences dans lesquelles le produit est utilize
![Expérience :
Transistor a effet de champ
(115 V, 50/60 Hz), 8000675 [UE3080300-115], Électronique](/thumblibrary/UE3080300-115/UE3080300-115_01_140_140_Experience-Transistor-a-effet-de-champ-115-V-5060-Hz.jpg)
1 193,40 €
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![Expérience :
Transistor a effet de champ, 8000676 [UE3080300-230], Électronique](/thumblibrary/UE3080300-230/UE3080300-230_01_140_140_Experience-Transistor-a-effet-de-champ.jpg)