Experimento:
Efecto Hall en los Semiconductores
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Efecto Hall en los Semiconductores, 8000728 [UE6020200-230], Experimentos Física del Estado Sólido](/imagelibrary/UE6020200-230/UE6020200-230_01_Experimento-Efecto-Hall-en-los-Semiconductores.jpg)
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Efecto Hall en los Semiconductores, 8000728 [UE6020200-230], Experimentos Física del Estado Sólido](/thumblibrary/UE6020200-230/UE6020200-230_01_1200_1200_Experimento-Efecto-Hall-en-los-Semiconductores.jpg)
Experimento:
Efecto Hall en los Semiconductores
Objetivo: Estudio de los mecanismos de la conducción eléctrica en germanio dotado, tomando como base el efecto Hall
El efecto Hall se observa en materiales que conducen la corriente eléctrica cuando se encuentran en un campo magnético B. El signo de la tensión de Hall cambia dependiendo si la corriente continua I está conformada por portadores de carga positivos o negativos. Por lo tanto, el efecto Hall ofrece un instrumento importante para la determinación de los mecanismos de transporte de cargas en semiconductores dotados. En el experimento se estudian cristales de germanio dotados, en una gama de temperaturas entre 300 K y 450 K, para diferenciar si la conducción electrica ha sido posible por dotación o por la activación térmica de electrones de la banda de valencia en la banda de conducción haciendo posible la conducción intrínseca o propia.
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