Objetivo: Medição das curvas características de um transístor de efeito de campo
O transístor de efeito de campo (FET) é um componente semicondutor em que a corrente elétrica que flui por um canal é comandada por um campo elétrico perpendicular ao fluxo da corrente. O FET tem três conectores, chamados de Source, Drain e Gate, que funcionam como fonte, dreno e porta. Se uma tensão elétrica é aplicada entre Source e Drain, então a corrente Drain flui no canal entre eles. Para tensões Drain-Source pequenas, o FET se comporta como uma resistência ôhmica e a curva característica transcorre correspondentemente linearmente. Com o aumento da tensão Drain-Source, inicialmente ocorre uma constrição e finalmente, ao fechamento do canal e a curva característica passa para um âmbito de saturação. Para tensões Gate diferentes de zero, o valor de saturação de corrente Drain diminui.
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![Experiência: Transístor de efeito de campo (115 V, 50/60 Hz), 8000675 [UE3080300-115], Eletrônica](/imagelibrary/UE3080300-115/UE3080300-115_01_Experiencia-Transistor-de-efeito-de-campo-115-V-5060-Hz.jpg)
![Experiência: Transístor de efeito de campo (115 V, 50/60 Hz), 8000675 [UE3080300-115], Eletrônica](/thumblibrary/UE3080300-115/UE3080300-115_01_1200_1200_Experiencia-Transistor-de-efeito-de-campo-115-V-5060-Hz.jpg)
