Objetivo: Determinación de la distancia entre la banda de germanio
Los Semiconductores muestran sólo para altas temperaturas una conductividad eléctrica medible. El origen de esta dependencia térmica es la estructura de bandas de los niveles energéticos electrónicos con, una banda de valencia, una banda de conducción y una zona intermedia, que en el caso de material semiconductor puro y no dotado no puede ser ocupada por electrones. Con temperatura creciente, más y más electrones se activan térmicamente y pasan de la banda de valencia a la banda de conducción, dejando “huecos” en la banda de valencia. Los huecos se mueven bajo la influencia de un campo eléctrico como partículas cargadas positivamente y contribuyen así como los electrones a la densidad de corriente. Para determinar la conductividad en germanio puro y no dotado, en el experimento se hace pasar una corriente constante a través del cristal y se mide la correspondiente caída de tensión en dependencia con la temperatura. Los datos de medida se pueden describir, en buena aproximación, por medio de una función exponencial, en la cual aparece la distancia entre bandas como un parámetro.
Se recomienda adicionalmente: Suplemento UE6020100S-115.
![Experimento: Conducción eléctrica en semiconductores (115 V, 50/60 Hz), Equipamiento básico, 8000723 [UE6020100-115], Fenómenos de conducción](/imagelibrary/UE6020100-115/UE6020100-115_01_Experimento-Conduccion-electrica-en-semiconductores-115-V-5060-Hz-Equipamiento-basico.jpg)
![Experimento: Conducción eléctrica en semiconductores (115 V, 50/60 Hz), Equipamiento básico, 8000723 [UE6020100-115], Fenómenos de conducción](/thumblibrary/UE6020100-115/UE6020100-115_01_1200_1200_Experimento-Conduccion-electrica-en-semiconductores-115-V-5060-Hz-Equipamiento-basico.jpg)
